El Snapdragon 835 será el encargado de potenciar a la gama alta del 2017.

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En la web ya teníamos bastantes rumores sobre el nuevo producto de Qualcomm, sabíamos que sería Snapdragon 835 su nombre, pero faltaba la confirmación oficial y sus principales características, algo que hoy ya podemos confirmar, aunque no detallar por completo las especificaciones técnicas de este nuevo chip de Qualcomm, pero que de seguro con el pasar de las semanas sabremos más novedades y datos específicos.

Como novedades, este procesador además de mejorar en prestaciones a los modelos actuales, integrará la nueva carga rápida Quick Charge 4.0, la que debería traer buenas noticias para estos tiempos ya que si la versión 3.0 es buena, esta debería de superar los tiempos de carga de su antecesor y todo ese dilema quedar corto de batería ya sería mucho menos molesto.

No conocemos todos los detalles del nuevo procesador ya que Qualcomm se ha limitado a decir que es más potente y avanzado que la generación anterior, pero sí sabemos algunos detalles de qué incluirá y cuándo lo veremos en los teléfonos. Nueva carga Quick Charge 4.0 hasta un 20 % más rápida que la versión 3.0 y con control automatizado de la temperatura, proceso de fabricación de Samsung en 10 nm y lanzamiento de los primeros dispositivos durante la primera mitad del 2017. ¿Alguien ha pensado en el Samsung Galaxy S8?

Samsung es el encargado de fabricar el Qualcomm Snapdragon 835.

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Una alianza curiosa entre compañías que fácilmente podrían ser identificadas como rivales, pero que no debería de tener malos resultados viendo que Samsung sabe del negocio y ya ha demostrado con su Exynos que saben hacer el trabajo, y posiblemente su papel protagónico en esta pasada va de la mano con querer desarrollar un procesador “a medida” para su próximo buque insignia, sabemos que a Samsung le gusta que el hardware de sus terminales de gama alta sea lo más potente, y que mejor que poder contar el líder del mercado para que todo funcione perfecto.

Qualcomm asegura que su nuevo procesador aprovecha todas las capacidades de los 10 nm dotándole de mayor potencia y mucho menor consumo.

Comparado con el anterior proceso de fabricación FinFET de 14 nm, la tecnología de Samsung en 10 nm permite un incremento del 30 % en la eficiencia con un 27 % más de potencia y un 40 % menos de consumo. Los datos se contrastan con los actuales Qualcomm Snapdragon 821, como los que poseen el reciente OnePlus 3T o el Google Pixel.

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Podríamos ahondar más sobre el QuickCharge 4.0 en esta nota, pero dedicaremos una publicación especial en Tecnofanatico para no restar importancia a esta nueva tecnología de carga que nos entrega Qualcomm con su ultimo procesador, así que atentos al blog.

Fuente: Qualcomm (Twitter).
Vía: El Androide Libre.
Autor: Elias Villagrán Donaire (Twitter).